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IXFA6N120P中文资料

IXFA6N120P图片

IXFA6N120P外观图

  • 大小:173KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:Polar™ HiPerFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.4 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:92nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:2830pF @ 25V
  • 功率 - 最大:250W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:TO-263(D2Pak)
  • 包装:管件

IXFA6N120P供应商

更新时间:2023-02-22 11:12:30
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